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Ilustração e uma válvula Tiratron de quatro elementos com grade
blindada onde:
a) anodo
b) catodo
c) grade de controle
d) grade blindada
e) isolador
f) isolador |
Walter Schottky foi um dos primeiros pesquisadores a notar a existência
de vacâncias na estrutura de materiais semicondutores. Na realidade,
são vazios que ocorrem na rede do cristal devido à movimentação
de partículas para
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Ilustração do diodo de barreira tipo
Schottky. |
a superfície do mesmo. Este tipo de estrutura com vacâncias foi mais
tarde denominado de "defeito Schottky". Baseado nestes estudos preliminares,
em l938, postula uma teoria que explicava o comportamento da retificação
ocorrida pelo contato exercido entre um metal e um material semicondutor,
como dependente da formação de uma barreira obtida por uma camada
na superfície de contato entre aqueles dois materiais.Este princípio
foi logo usado para a fabricação dos chamados diodos de barreira SCHOTTKY.
Sua concepção consiste em se ter uma camada metálica, por exemplo
de Alumínio, em contato direto com um substrato de Silício tipo N.
Assim, o diodo se comporta como uma junção P-N, de forma que o fluxo
da corrente é formado originalmente pela maioria das cargas e, portanto,
tendo uma inerente rápida resposta. O diodo de barreira é largamente
empregado em topologias de circuitos como comutadores, alta freqüência
ou misturadores de baixo ruído. Na senda do seu desenvolvimento logo
em seguida depara-se com um novo tipo de diodo, cujo principio de
funcionamento podia agora ser comparado aquele de uma válvula triodo
gasoso, o Tiritron. |