É interessante notar que o desenvolvimento do processo Planar, lançado em 1959, foi oriundo da tecnologia de fabricações de câmeras e materiais correlatos para fotografia, campo no qual esta companhia tinha grande experiência.
Basicamente, o processo de fabricação empregava uma película de material fotossensível, a qual se polimerizava sob a ação da luz ultravioleta denominado de PHOTORESIST.
Sobre a matriz de Silício previamente tratada com o PHOTORESIST, aplicava-se uma mascara fotográfica com a configuração das funções do semicondutor. Sob a ação da luz ultravioleta,as partes expostas da película PHOTORESIST  eram sensibilizadas e, assim impressas na matriz; as demais partes eram removidas, geralmente por um processo de lavagem.
Com a matriz de Silício assim configurada, procedia-se então, o subseqüente estágio de ataque para a impressão final da configuração do semicondutor.
Por meio deste processo obtinha-se uma impressão precisa, reproduzindo-se todos os detalhes do layout tais como: furos, imagens, pequenos planos, etc, impossível de se conseguir por meio  das mascaras mecânicas usadas na fabricação do transistor Mesa.
Como todos os elementos da configuração na matriz estavam localizados em um mesmo plano, os engenheiros cognominaram-no como transistor Planar.
Semelhante às tecnologias anteriores, o processo Planar, apresentava também a sua desvantagem a qual consistia na sua incapacidade de se obter transistores de potência devido à alta resistência encontrada no material usado na fabricação do coletor. Em junho de 1960, os laboratórios Bell, o mesmo que havia inventado o primeiro amplificador estado sólido, desenvolveu o processo  epitaxial de fabricação de transistores.
O processo  epitaxial consistia no crescimento de uma fina camada de Silício sobre o substrato do cristal singelo.
Uma vez que a resistência da camada era diferente daquela do substrato, permitia a produção do semicondutor dentro da camada epitaxial cujas características eram independentes do material usado no substrato.
Desta maneira podia-se fabricar um transistor sobre um substrato resistente e espesso, tendo agora uma base fina, capaz de operar em alta freqüência e, um coletor com baixa resistência podendo fornecer maior potência.
Em 1960, a tecnologia de fabricação do transistor bipolar tinha atingido avanços consideráveis. Entretanto, os laboratórios de pesquisas não estavam parados e, assim  tendo como base o processo Planar desenvolveram um outro conceito de amplificador estado sólido, o  transistor de efeito de campo.